HONGLIXIN TECHNOLOGY ELECTRON LIMITED
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    BYD3M-TDT-P

    Référence fabricant #
    BYD3M-TDT-P
    Fabricant
    Autonics USA
    Colis/Boîte
    -
    Fiche technique
    BYD3M-TDT-P
    Description
    SENSOR, PHOTO, THROUGH BEAM, DAR
    Stock
    287

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    Fabricant :
    Autonics USA
    Catégorie de produit :
    Sensors, Transducers > Optical Sensors - Photoelectric, Industrial
    Adjustment Type :
    Fixed
    Connection Method :
    Cable
    Ingress Protection :
    IP64
    Light Source :
    Infrared LED
    Operating Temperature :
    -20°C ~ 65°C (TA)
    Product Status :
    Active
    Response Time :
    1ms
    Sensing Method :
    Through-Beam
    Voltage - Supply :
    12V ~ 24V
    Fiches techniques
    BYD3M-TDT-P

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      Autonics USA
      SENSOR, LASER DISPLACEMENT SENSO
    • 默认图片
      BJ
      Autonics USA
      OPTIONAL BJ BRACKET 14 X 35 MM
    • BS5-T2M-P
      BS5-T2M-P
      Autonics USA
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    • BS5-T2M
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      Autonics USA
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    BYD33DGPHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    BYD33DGPHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
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    BYD33GGP-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    BYD33GGP-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    BYD33GGPHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    BYD33GGPHE3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    BYD33JGP-E3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    BYD33JGP-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    BYD33JGPHE3/54 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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