BAR81WE6327
- Référence fabricant #
- BAR81WE6327
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- BAR81WE6327
- Description
- PIN DIODE
- Stock
- 3000
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- Fabricant :
- Infineon Technologies
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - RF
- Capacitance @ Vr, F :
- 0.9pF @ 3V, 1MHz
- Current - Max :
- 100 mA
- Diode Type :
- Standard - Single
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SC-82A, SOT-343
- Power Dissipation (Max) :
- 100 mW
- Product Status :
- Active
- Resistance @ If, F :
- 1Ohm @ 5mA, 100MHz
- Supplier Device Package :
- PG-SOT343-4
- Voltage - Peak Reverse (Max) :
- 30V
- Fiches techniques
- BAR81WE6327
Produits liés au fabricant
Produits liés au catalogue
Produits associés
| Partie | Fabricant | Stock | Description |
|---|---|---|---|
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| BAR81WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 48,285 | DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4 |
| BAR8602ELSE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 105,000 | RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH |
| BAR88-02LRHE6327 | Infineon Technologies | 35,000 | PIN DIODE, 80V V(BR) |
| BAR8802LRHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 |
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| BAR8902LRHE6433XTMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 |
