GE2X10MPS06D
- Référence fabricant #
- GE2X10MPS06D
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- GE2X10MPS06D
- Description
- 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
- Stock
- 35000
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- Fabricant :
- GeneSiC Semiconductor
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Arrays
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
- 23A (DC)
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- -
- Diode Configuration :
- 1 Pair Common Cathode
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C
- Package / Case :
- TO-247-3
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-247-3
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- -
- Fiches techniques
- GE2X10MPS06D
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Partie | Fabricant | Stock | Description |
---|---|---|---|
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor | 68 | 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M |