GB01SLT12-252
- Référence fabricant #
 - GB01SLT12-252
 
- Fabricant
 - GeneSiC Semiconductor
 
- Colis/Boîte
 - -
 
- Fiche technique
 - GB01SLT12-252
 
- Description
 - DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
 
- Stock
 - 14377
 
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- Fabricant :
 - GeneSiC Semiconductor
 
- Catégorie de produit :
 - Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
 
- Capacitance @ Vr, F :
 - 69pF @ 1V, 1MHz
 
- Current - Average Rectified (Io) :
 - 1A
 
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
 - 2 µA @ 1200 V
 
- Diode Type :
 - Silicon Carbide Schottky
 
- Mounting Type :
 - Surface Mount
 
- Operating Temperature - Junction :
 - -55°C ~ 175°C
 
- Package / Case :
 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
 
- Product Status :
 - Active
 
- Reverse Recovery Time (trr) :
 - 0 ns
 
- Speed :
 - No Recovery Time > 500mA (Io)
 
- Supplier Device Package :
 - TO-252
 
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
 - 1200 V
 
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
 - 1.8 V @ 1 A
 
- Fiches techniques
 - GB01SLT12-252
 
Produits liés au fabricant
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Produits associés
| Partie | Fabricant | Stock | Description | 
|---|---|---|---|
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| GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | 35,000 | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 
| GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | 35,000 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB | 
| GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | 35,000 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 

                                                                                                                        







