WND10P08XQ
- Référence fabricant #
- WND10P08XQ
- Fabricant
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- WND10P08XQ
- Description
- STANDARD POWER DIODE
- Stock
- 3310
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- Fabricant :
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 10A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 10 µA @ 800 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- 150°C
- Package / Case :
- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Speed :
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-220F
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 800 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.3 V @ 10 A
- Fiches techniques
- WND10P08XQ
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Produits liés au catalogue
Produits associés
| Partie | Fabricant | Stock | Description |
|---|---|---|---|
| WND100FET | Ohmite | 35,000 | RES 100 OHM 1% 3W AXIAL |
| WND10P08YQ | WeEn Semiconductors Co., Ltd | 6,000 | STANDARD REVERSE RECOVERY POWER |
| WND10RFET | Ohmite | 5,802 | RES 10 OHM 1% 3W AXIAL |
| WND15RFET | Ohmite | 35,000 | RES 15 OHM 1% 3W AXIAL |
| WND1K0FET | Ohmite | 35,000 | RES 1K OHM 1% 3W AXIAL |
| WND1R0FET | Ohmite | 4,951 | RES 1 OHM 1% 3W AXIAL |









