UH1BHE3_A/H
- Référence fabricant #
- UH1BHE3_A/H
- Fabricant
- Vishay
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- UH1BHE3_A/H
- Description
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Stock
- 35000
Demander un devis (RFQ)
- * Nom du contact:
- * Société:
- * Courriel:
- * Téléphone:
- * Commentaire:
- * Captcha:
-
- Fabricant :
- Vishay
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- 17pF @ 4V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io) :
- 1A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 1 µA @ 100 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C
- Package / Case :
- DO-214AC, SMA
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 25 ns
- Speed :
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- DO-214AC (SMA)
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 100 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.05 V @ 1 A
- Fiches techniques
- UH1BHE3_A/H
Produits liés au fabricant
Produits liés au catalogue
Produits associés
Partie | Fabricant | Stock | Description |
---|---|---|---|
UH1B-E3/5AT | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
UH1B-E3/61T | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
UH1B-M3/5AT | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 1A SMA |
UH1B-M3/61T | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 1A SMA |
UH1BHE3/5AT | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
UH1BHE3/61T | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
UH1BHE3_A/I | Vishay | 35,000 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |