IDB18E120ATMA1

Référence fabricant #
IDB18E120ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
IDB18E120ATMA1
Description
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
Stock
35000

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Fabricant :
Infineon Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
31A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
100 µA @ 1200 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
195 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2.15 V @ 18 A
Fiches techniques
IDB18E120ATMA1

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