RD0306T-H

Référence fabricant #
RD0306T-H
Fabricant
onsemi
Colis/Boîte
-
Fiche technique
RD0306T-H
Description
DIODE GEN PURP 600V 3A TP
Stock
35000

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Fabricant :
onsemi
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
3A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
10 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
150°C (Max)
Package / Case :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
50 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.5 V @ 3 A
Fiches techniques
RD0306T-H

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    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
  • Comchip Technology
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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Partie Fabricant Stock Description
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