D850N30TXPSA1

Référence fabricant #
D850N30TXPSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
D850N30TXPSA1
Description
DIODE GEN PURP 3KV 850A
Stock
35000

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Fabricant :
Infineon Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
850A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 mA @ 3000 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 160°C
Package / Case :
DO-200AB, B-PUK
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.28 V @ 850 A
Fiches techniques
D850N30TXPSA1

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Partie Fabricant Stock Description
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D850N28TXPSA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 2.8KV 850A
D850N32TXPSA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 3.2KV 850A
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D850N36TXPSA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
D850N40TXPSA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 4KV 850A