GE10020

Référence fabricant #
GE10020
Fabricant
Harris Corporation
Colis/Boîte
-
Fiche technique
GE10020
Description
TRANS NPN DARL 300V 60A TO204AE
Stock
107

Demander un devis (RFQ)

* Nom du contact:
* Société:
* Courriel:
* Téléphone:
* Commentaire:
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Harris Corporation
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
600 @ 15A, 5V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case :
TO-204AE
Power - Max :
250 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-204AE
Transistor Type :
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
2.4V @ 1.2A, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
300 V
Fiches techniques
GE10020

Produits liés au fabricant

Produits liés au catalogue

Produits associés

Partie Fabricant Stock Description
GE1002 Harris Corporation 35,000 RECTIFIER DIODE, 1A, 100V
GE10022 Harris Corporation 161 TRANS NPN DARL 240V 40A TO204AE
GE1003 Harris Corporation 1,808 RECTIFIER DIODE, 1A, 150V
GE1004 Harris Corporation 1,166 RECTIFIER DIODE, 1A, 200V
GE101K Cornell Dubilier Electronics 35,000 CAP CER 100PF 50V Y5P RADIAL
GE102K Cornell Dubilier Electronics 35,000 CAP CER 1000PF 50V Y5P RADIAL
GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor 770 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor 2,299 650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M