IGB03N120H2ATMA1616

Référence fabricant #
IGB03N120H2ATMA1616
Fabricant
Infineon Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
IGB03N120H2ATMA1616
Description
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Stock
35000

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Fabricant :
Infineon Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
-
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
-
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
-
Transistor Type :
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
-
Fiches techniques
IGB03N120H2ATMA1616

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Partie Fabricant Stock Description
IGB01N120H2ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
IGB03N120H2ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3