CAB530M12BM3

Fabricant :

Wolfspeed

Catégorie de produit :

Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

530A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

1200V (1.2kV)

FET Feature :

Silicon Carbide (SiC)

FET Type :

2 N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

1362nC @ 4V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

39600pF @ 800V

Mounting Type :

Chassis Mount

Operating Temperature :

-40°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

Module

Power - Max :

-

Product Status :

Active

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

3.55mOhm @ 530A, 15V

Supplier Device Package :

Module

Vgs(th) (Max) @ Id :

3.6V @ 140mA