VQ2001P

Référence fabricant #
VQ2001P
Fabricant
Vishay
Colis/Boîte
-
Fiche technique
VQ2001P
Description
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Stock
35000

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Fabricant :
Vishay
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Standard
FET Type :
4 P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 15V
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
-
Power - Max :
2W
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2Ohm @ 1A, 12V
Supplier Device Package :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Fiches techniques
VQ2001P

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    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

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Partie Fabricant Stock Description
VQ2001P-2 Vishay 35,000 MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
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VQ2031500000G Amphenol Anytek 35,000 TERM BLK 20P SIDE ENT 3.81MM PCB
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