IGN1011L70

Référence fabricant #
IGN1011L70
Fabricant
Integra Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
IGN1011L70
Description
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Stock
11

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Fabricant :
Integra Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Current - Test :
22 mA
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain :
22dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
PL32A2
Power - Output :
80W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PL32A2
Transistor Type :
GaN HEMT
Voltage - Rated :
120 V
Voltage - Test :
50 V
Fiches techniques
IGN1011L70

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