NVMS10P02R2G

Référence fabricant #
NVMS10P02R2G
Fabricant
onsemi
Colis/Boîte
-
Fiche technique
NVMS10P02R2G
Description
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Stock
35000

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Fabricant :
onsemi
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
8-SOIC
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
Fiches techniques
NVMS10P02R2G

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