STH52N10LF3-2AG
- Référence fabricant #
- STH52N10LF3-2AG
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- STH52N10LF3-2AG
- Description
- MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
- Stock
- 35000
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- Fabricant :
- STMicroelectronics
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 52A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 100 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 5V, 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 18.5 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1900 pF @ 400 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Dissipation (Max) :
- 110W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 20mOhm @ 26A, 10V
- Supplier Device Package :
- H2Pak-2
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 250µA
- Fiches techniques
- STH52N10LF3-2AG
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Partie | Fabricant | Stock | Description |
---|---|---|---|
STH51004G | Infineon Technologies | 35,000 | HIGH POWER 1300 NM FP LASER |