IKW03N120H

Référence fabricant #
IKW03N120H
Fabricant
Infineon Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
IKW03N120H
Description
IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Stock
955

Demander un devis (RFQ)

* Nom du contact:
* Société:
* Courriel:
* Téléphone:
* Commentaire:
* Captcha:
loading...
Fabricant :
Infineon Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
9.9 A
Gate Charge :
22 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Power - Max :
62.5 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
42 ns
Supplier Device Package :
PG-TO247-3-21
Switching Energy :
140µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
9.2ns/281ns
Test Condition :
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Fiches techniques
IKW03N120H

Produits liés au fabricant

Produits liés au catalogue

Produits associés

Partie Fabricant Stock Description
IKW03N120H2 Infineon Technologies 35,000 IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
IKW03N120H2FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon Technologies 163 INDUSTRY 14 PG-TO247-3
IKW08T120FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 16A TO247-3