IGP20N60H3ATMA1

Référence fabricant #
IGP20N60H3ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Colis/Boîte
-
Fiche technique
IGP20N60H3ATMA1
Description
IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Stock
35000

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Fabricant :
Infineon Technologies
Catégorie de produit :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
80 A
Gate Charge :
120 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
170 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Switching Energy :
450µJ (on), 240µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
16ns/194ns
Test Condition :
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
Fiches techniques
IGP20N60H3ATMA1

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