NDS36PT5-20ET TR
- Référence fabricant #
- NDS36PT5-20ET TR
- Fabricant
- Insignis Technology Corporation
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- NDS36PT5-20ET TR
- Description
- IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
- Stock
- 5502
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- Fabricant :
- Insignis Technology Corporation
- Catégorie de produit :
- Memory > Memory
- Access Time :
- 4.5 ns
- Clock Frequency :
- 200 MHz
- Memory Format :
- DRAM
- Memory Interface :
- Parallel
- Memory Size :
- 256Mb (16M x 16)
- Memory Type :
- Volatile
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- 54-TSOP II
- Technology :
- SDRAM
- Voltage - Supply :
- 3V ~ 3.6V
- Write Cycle Time - Word, Page :
- 10ns
- Fiches techniques
- NDS36PT5-20ET TR
Produits liés au fabricant
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Produits associés
| Partie | Fabricant | Stock | Description |
|---|---|---|---|
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| NDS331N_D87Z | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 |
| NDS332P | onsemi | 82,107 | MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 |
| NDS335N | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 |
| NDS336P | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 |
| NDS351AN | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 |
| NDS351N | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3 |
| NDS352AP | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3 |
| NDS352P | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 |
| NDS355AN | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3 |
| NDS355AN-F169 | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 |
| NDS355AN-NB9L007A | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 |
| NDS355AN_G | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3 |
| NDS355N | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3 |
| NDS356AP | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3 |
