RQ3P300BHTB1

제조업체 부품 번호
RQ3P300BHTB1
제조업체
ROHM Semiconductor
포장/케이스
-
데이터시트
RQ3P300BHTB1
설명
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
재고
35000

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제조업체 :
ROHM Semiconductor
제품 분류 :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
39A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
2040 pF @ 50 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max) :
2W (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
데이터 목록
RQ3P300BHTB1

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부분 제조업체 재고 설명
RQ3P300BETB1 ROHM Semiconductor 35,000 MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT