IGOT60R070D1E8220AUMA1

제조업체 부품 번호
IGOT60R070D1E8220AUMA1
제조업체
Infineon Technologies
포장/케이스
-
데이터시트
IGOT60R070D1E8220AUMA1
설명
GAN HV
재고
35000

견적 요청(RFQ)

* 연락처 이름:
* 회사:
* 이메일:
* 전화:
* 리뷰:
* 확인 코드:
loading...
제조업체 :
Infineon Technologies
제품 분류 :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
380 pF @ 400 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max) :
125W (Tc)
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
PG-DSO-20-87
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) :
-10V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
데이터 목록
IGOT60R070D1E8220AUMA1

제조업체 관련 제품

디렉토리 관련 제품

관련 제품

부분 제조업체 재고 설명
IGOT60R042D1AUMA2 Infineon Technologies 35,000 GANFET N-CH
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies 35,000 GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
IGOT60R070D1AUMA3 Infineon Technologies 35,000 GANFET N-CH