
IGO60R070D1E8220AUMA1
견적 요청(RFQ)
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-
- 제조업체 :
- Infineon Technologies
- 제품 분류 :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 31A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 600 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- -
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- -
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 380 pF @ 400 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Power Dissipation (Max) :
- 125W (Tc)
- Product Status :
- Obsolete
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- -
- Supplier Device Package :
- PG-DSO-20-85
- Technology :
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Max) :
- -10V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.6V @ 2.6mA
- 데이터 목록
- IGO60R070D1E8220AUMA1
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부분 | 제조업체 | 재고 | 설명 |
---|---|---|---|
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | GANFET N-CH 600V 31A 20DSO |