AS3D020120P2

Производитель-деталь №
AS3D020120P2
Производитель
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
AS3D020120P2
Описание
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
* Компания:
* Электронная почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Проверка кода:
loading...
lang_0872 :
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Arrays
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
30A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
20 µA @ 1200 V
Diode Configuration :
1 Pair Common Cathode
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-247-3
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8 V @ 10 A
lang_0258
AS3D020120P2

Продукты, связанные с производителем

  • ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
  • ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
  • ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
  • ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
  • ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 35,000 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 35,000 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 35,000 650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK
AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 35,000 1200V,30A SILICON CARBIDE SCHOTT
AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 35,000 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT