Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
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- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
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- Operating Temperature：
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- Package / Case：
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- Power Dissipation (Max)：
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- Product Status：
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- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
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- Supplier Device Package：
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- Vgs (Max)：
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| 画像 | パート | メーカー | 説明 | 価格 | 在庫 | アクション | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
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125
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Infineon Technologies | N-CHANNEL POWER M... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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