SI4816BDY-T1-GE3
- メーカー部品番号
- SI4816BDY-T1-GE3
- メーカー
- Vishay
- パッケージ/ケース
- -
- データシート
- SI4816BDY-T1-GE3
- 説明
- MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- 在庫
- 35000
見積依頼(RFQ)
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- メーカー :
- Vishay
- 製品カテゴリ :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5.8A, 8.2A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 10nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Power - Max :
- 1W, 1.25W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-SOIC
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 3V @ 250µA
- データシート
- SI4816BDY-T1-GE3
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