SCTL90N65G2V

メーカー部品番号
SCTL90N65G2V
メーカー
STMicroelectronics
パッケージ/ケース
-
データシート
SCTL90N65G2V
説明
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
在庫
35000

見積依頼(RFQ)

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メーカー :
STMicroelectronics
製品カテゴリ :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
3380 pF @ 400 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max) :
935W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24mOhm @ 40A, 18V
Supplier Device Package :
PowerFlat™ (8x8) HV
Technology :
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) :
+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
データシート
SCTL90N65G2V

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